Немного о радио и популяризации среди школьников
- Автор темы dok34.ru
- Дата начала
dok34.ru
Moderator
интересные транзисторы, СВЧ всё ближе. Отлично!
Cree представила два лучших в отрасли GaN HEMT устройства (HEMT – high-electron-mobility transistor – транзистор с высокой подвижностью электронов), которые решат целый ряд старых проблем радиолокационных систем, использующих традиционные усилители на лампах бегущей волны (ЛБВ).
Работающим при напряжении 50 В арсенид галлиевым твердотельным усилителям не нужны высоковольтные источники питания, необходимые в системах с ЛБВ и являющиеся источником частых отказов. Кроме того, такие твердотельные системы почти моментально готовы к работе, поскольку не требуют разогрева, имеют б?льшую дальность обнаружения и повышенную достоверность распознавания целей.
Нацелившись с самого начала на реализацию этих преимуществ, Cree смогла разработать два новых радиочастотных GaN транзистора с наивысшей мощностью и наилучшим КПД при небольших размерах корпуса. Первое устройство – 350-ватный полностью согласованный GaN HEMT C-диапазона, превосходит по мощности все приборы аналогичного класса, предлагаемые сегодня на рынке. Второй прибор – GaN HEMT, отдающий мощность 500 Вт в нагрузку 50 Ом, является самым мощным полностью согласованным транзистором S-диапазона среди приборов в корпусах такого же размера.
«Новые продукты C- и S-диапазонов компании Cree побили рекорды мощности и КПД для GaN силовых приборов в миниатюрных 50-омных корпусах. Эти энергоэффективные транзисторы позволяют создавать экономичные многокиловаттные усилители мощности, необходимые для военных радаров, а также для радаров контроля погоды и воздушного трафика, – сказал Том Деккер (Tom Dekker), директор по продажам и маркетингу подразделения радиочастотных продуктов компании Cree. – По такому показателю качества, как отношение выходной радиочастотной мощности к площади 50-омного корпуса, 350-ваттное устройство C-диапазона превосходит ближайшие коммерческие транзисторы конкурентов приблизительно в 3.5 раза. Использование такого же критерия качества применительно к 500-ваттным приборам S-диапазона показывает, что эти транзисторы компании Cree обошли все аналогичные коммерческие продукты более чем на 45 процентов».
При типичной импульсной мощности в режиме насыщения более 400 Вт, транзистор CGHV59350 найдет применение в системах наземных военных и доплеровских метеорологических радиолокаторов. Полностью согласованный 50-омный GaN HEMT, выпускаемый в стандартном корпусе размером 17.8 ? 22.9 мм, работает в диапазоне частот от 5.2 до 5.9 ГГц и имеет типовой КПД стока 60%.
Основной областью применения прибора CGHV31500F, отдающего в режиме насыщения импульсную мощность 700 Вт, будут радарные системы управления воздушным движением. Полностью согласованный 50-омный GaN HEMT, предназначенный для диапазона частот от 2.7 до 3.1 ГГц, имеет усиление по мощности 12 дБ и выпускается в стандартном для отрасли металлокерамическом корпусе размером 17.8 ? 22.9 мм.
Cree представила два лучших в отрасли GaN HEMT устройства (HEMT – high-electron-mobility transistor – транзистор с высокой подвижностью электронов), которые решат целый ряд старых проблем радиолокационных систем, использующих традиционные усилители на лампах бегущей волны (ЛБВ).
Работающим при напряжении 50 В арсенид галлиевым твердотельным усилителям не нужны высоковольтные источники питания, необходимые в системах с ЛБВ и являющиеся источником частых отказов. Кроме того, такие твердотельные системы почти моментально готовы к работе, поскольку не требуют разогрева, имеют б?льшую дальность обнаружения и повышенную достоверность распознавания целей.
Нацелившись с самого начала на реализацию этих преимуществ, Cree смогла разработать два новых радиочастотных GaN транзистора с наивысшей мощностью и наилучшим КПД при небольших размерах корпуса. Первое устройство – 350-ватный полностью согласованный GaN HEMT C-диапазона, превосходит по мощности все приборы аналогичного класса, предлагаемые сегодня на рынке. Второй прибор – GaN HEMT, отдающий мощность 500 Вт в нагрузку 50 Ом, является самым мощным полностью согласованным транзистором S-диапазона среди приборов в корпусах такого же размера.
«Новые продукты C- и S-диапазонов компании Cree побили рекорды мощности и КПД для GaN силовых приборов в миниатюрных 50-омных корпусах. Эти энергоэффективные транзисторы позволяют создавать экономичные многокиловаттные усилители мощности, необходимые для военных радаров, а также для радаров контроля погоды и воздушного трафика, – сказал Том Деккер (Tom Dekker), директор по продажам и маркетингу подразделения радиочастотных продуктов компании Cree. – По такому показателю качества, как отношение выходной радиочастотной мощности к площади 50-омного корпуса, 350-ваттное устройство C-диапазона превосходит ближайшие коммерческие транзисторы конкурентов приблизительно в 3.5 раза. Использование такого же критерия качества применительно к 500-ваттным приборам S-диапазона показывает, что эти транзисторы компании Cree обошли все аналогичные коммерческие продукты более чем на 45 процентов».
При типичной импульсной мощности в режиме насыщения более 400 Вт, транзистор CGHV59350 найдет применение в системах наземных военных и доплеровских метеорологических радиолокаторов. Полностью согласованный 50-омный GaN HEMT, выпускаемый в стандартном корпусе размером 17.8 ? 22.9 мм, работает в диапазоне частот от 5.2 до 5.9 ГГц и имеет типовой КПД стока 60%.
Основной областью применения прибора CGHV31500F, отдающего в режиме насыщения импульсную мощность 700 Вт, будут радарные системы управления воздушным движением. Полностью согласованный 50-омный GaN HEMT, предназначенный для диапазона частот от 2.7 до 3.1 ГГц, имеет усиление по мощности 12 дБ и выпускается в стандартном для отрасли металлокерамическом корпусе размером 17.8 ? 22.9 мм.
dok34.ru
Moderator
Данная конструкция отличается малыми габаритами, малым количеством используемых деталей и, вместе с тем, достаточно высокой чувствительностью. В этом детекторе поля использовано новое схемное решение. Хорошо известно, что измерение ВЧ напряжений, меньших 0,5 В, затруднено тем, что уже при переменном напряжении менее 0,2-0,3 В все полупроводниковые диоды становятся неэффективными. Существует, однако, способ измерения малых переменных напряжений с использованием сбалансированного диодно-резистивного моста, позволяющий измерять напряжение менее 20 мВ при равномерной АХЧ до 900 МГц.
Основу данного устройства составляет микросхема DA1 типа КР1112ПП2. Эта микросхема включает в себя устройство определения баланса электрического моста с индикацией. Микросхема имеет встроенный источник опорного напряжения.
Рис.1 Малогабаритный детектор поля с индикацией на двух светодиодах.
Сигнал, наводимый в антенне, усиливается широкополосным апериодическим усилителем высокой частоты на транзисторе VT1 типа КТ3101. Усиленное переменное напряжение высокой частоты через конденсатор С3 поступает в диодно-резистивный мост на диодах VD1-VD4 типа ГД507 и резисторах R3-R5. От источника опорного напряжения (вывод 3 микросхемы DA1) через резисторы R3-R5 и диоды VD1-VD4 протекает небольшой (примерно несколько микроампер) прямой ток, который улучшает условия детектирования и увеличивает чувствительности детектора. В выпрямлении измеряемого переменного напряжения участвуют только диоды VD1 и VD2, а два других - VD3, VD4 - образуют соседнее плечо моста, на котором создается начальное напряжение, балансирующее мост, и одновременно служат для его термокомпенсации. Все диоды подобраны с возможно более близкими вольт-амперными характеристиками. Конденсатор С4 отфильтровывает переменную составляющую выпрямленного напряжения. Резистор R4 служит для точной балансировки моста. При хорошей балансировке устройство будет реагировать только на напряжение, являющееся результатом выпрямления измеряемого сигнала. Выпрямленное напряжение и напряжение, балансирующее мост, через резисторы R7 и R8 поступают на входы усилителя постоянного тока, расположенного в микросхеме DA1. В зависимости от состояния баланса моста сигнал индикации поступает на один из светодиодов VD5 или VD6 - типа АЛ307. Таким образом, при балансе моста (отсутствие сигнала) включен светодиод VD5, а при наличии сигнала (нарушение баланса моста) - светодиод VD6. В качестве диодов VD1-VD4 можно использовать любые высокочастотные диоды. Светодиоды могут быть любого типа. В качестве источника питания используется источник постоянного тока напряжением 2,5-5 В.
<center><img src='https://kazus.ru/nuke/spaw/images/topics/2103.gif' alt='Прикрепленная картинка' /></center>
Основу данного устройства составляет микросхема DA1 типа КР1112ПП2. Эта микросхема включает в себя устройство определения баланса электрического моста с индикацией. Микросхема имеет встроенный источник опорного напряжения.
Рис.1 Малогабаритный детектор поля с индикацией на двух светодиодах.
Сигнал, наводимый в антенне, усиливается широкополосным апериодическим усилителем высокой частоты на транзисторе VT1 типа КТ3101. Усиленное переменное напряжение высокой частоты через конденсатор С3 поступает в диодно-резистивный мост на диодах VD1-VD4 типа ГД507 и резисторах R3-R5. От источника опорного напряжения (вывод 3 микросхемы DA1) через резисторы R3-R5 и диоды VD1-VD4 протекает небольшой (примерно несколько микроампер) прямой ток, который улучшает условия детектирования и увеличивает чувствительности детектора. В выпрямлении измеряемого переменного напряжения участвуют только диоды VD1 и VD2, а два других - VD3, VD4 - образуют соседнее плечо моста, на котором создается начальное напряжение, балансирующее мост, и одновременно служат для его термокомпенсации. Все диоды подобраны с возможно более близкими вольт-амперными характеристиками. Конденсатор С4 отфильтровывает переменную составляющую выпрямленного напряжения. Резистор R4 служит для точной балансировки моста. При хорошей балансировке устройство будет реагировать только на напряжение, являющееся результатом выпрямления измеряемого сигнала. Выпрямленное напряжение и напряжение, балансирующее мост, через резисторы R7 и R8 поступают на входы усилителя постоянного тока, расположенного в микросхеме DA1. В зависимости от состояния баланса моста сигнал индикации поступает на один из светодиодов VD5 или VD6 - типа АЛ307. Таким образом, при балансе моста (отсутствие сигнала) включен светодиод VD5, а при наличии сигнала (нарушение баланса моста) - светодиод VD6. В качестве диодов VD1-VD4 можно использовать любые высокочастотные диоды. Светодиоды могут быть любого типа. В качестве источника питания используется источник постоянного тока напряжением 2,5-5 В.
<center><img src='https://kazus.ru/nuke/spaw/images/topics/2103.gif' alt='Прикрепленная картинка' /></center>
Новые комментарии
-
Качели - что это, и зачем понимать механизм Качелей?Ну это такое старинное... Как треугольник при созависимости. Религия - враг веры.(с.) "Сходил в церковь - получил невроз". По сути, она на то и... -
О "приговоре", или "один раз не гей*!"С одной стороны - пару-тройку раз переспать с человеком своего пола - это не гей* и не лесби. С другой - а в чем, собственно, приговор, живи, люби...
-
О "приговоре", или "один раз не гей*!"Вроде как сами самоприговариваются. Можно так смоделировать такого человека, парня, который мог бы это делать. И это не оч хорошая тенденция что ли. -
LGBT*
В связи с решением Верховного суда Российской Федерации (далее РФ) от 30 ноября 2023 года), движение ЛГБТ* признано экстремистским и запрещена его деятельность на территории РФ. Данное решение суда подлежит немедленному исполнению, исходя из чего на форуме будут приняты следующие меры - аббривеатура ЛГБТ* должна и будет применяться только со звездочкой (она означает иноагента или связанное с экстремизмом движение, которое запрещено в РФ), все ради того чтобы посетители и пользователи этого форума могли ознакомиться с данным запретом. Символика, картинки и атрибутика что связана с ныне запрещенным движением ЛГБТ* запрещены на этом форуме - исходя из решения Верховного суда, о котором было написано ранее - этот пункт внесен как экстренное дополнение к правилам форума части 4 параграфа 12 в настоящее время.